RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей
  • RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей
  • RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей
  • RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей

RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей

204 руб.

Описание

1. Мы поставляем различные электронные компоненты и приветствуем ваш запрос
2. Восстановление электронных компонентов
3. Искренне надеемся на ваше сотрудничество!
RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 мгц до 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей
Описание продукта:
RD15HVF1 является транзистором Типа MOS FET специально
Предназначен для применения Усилителей Высокой Мощности VHF/UHF.
Особенности
Высокая мощность и высокий коэффициент усиления:
Pout> 15 Вт, Gp> 14 дБ @ Vdd = 12,5 в, f = 175 МГц
Pout> 15 Вт, Gp> 7 дБ @ Vdd = 12,5 в, f = 520 МГц
Высокая эффективность: 60% тип. На УКВ-диапазона
Высокая эффективность: 55% тип. На UHF диапазона
Применение
Для выходного этапа Усилителей Высокой мощности в VHF/UHF
Группа мобильных радиостанций.
RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей
RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей
RD15HVF1 RF POWER MOS FET кремниевый транзистор 175 МГц 520 МГц 15 Вт предназначен для VHF/UHF высокомощных усилителей

Характеристики

Номер модели
RD15HVF1